Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 42 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: IPD30N10S3L34ATMA1
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Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon OptiMOS™-T N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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