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Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 Mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%

About The 5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KVK

Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KVK

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 Mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%

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Specifications of Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 Mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%

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Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 Mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%
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Wago CJ SPS-E/A Modul für Serie 750 / 4 x Digital Ausgang, Abmessungen: 100 x 12 x 64 mm, MPN: 750504
    • CHEMI-CON LXZ, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 50V dc, Ø 16mm x 25mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 50V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 16 x 25mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Lebensdauer: 8000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 68mΩ, Leckstrom: 0,01 CV μA, 3 μA bei 20 °C (nach 2 min), Brummstrom: 2240mA eff., MPN: ELXZ500ELL102ML25S
    • Vishay MBA0204 Dünnschicht Widerstand 82kΩ ±1% / 0.4W, MPN: MBA02040C8202FC100

    Vishay MBA0204 Dünnschicht Widerstand 82kΩ ±1% / 0.4W, MPN: MBA02040C8202FC100

    4W.Vishay MBA0204 Dünnschicht Widerstand 82kΩ ±1% / 0.

    • RS PRO Phosphor Bronze Stab, Ø 7/8Zoll, Länge 13Zoll, Zugfestigkeit: 420 N/mm², Härte: 120 HB, Dichte: 8.8g/cm³, Eignung: Lager, Zahnräder mit hoher Last, Pumpen, Ventile, Schneckenräder, Wärmeleitfähigkeit: 47W/mK
    • Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.2A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 6.4mm / ±20%, Tiefe: 6mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KFN
    • RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 1MΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KVK

    Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KVK

    Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%.

    • Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A 481 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, MPN: IPW60R041C6FKSA1
    • Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KVK

    Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.5mm / ±20%, Tiefe: 8mm, Geschirmt: Ja, MPN: ETQP4M150KVK

    Panasonic ETQP4M SMD Induktivität Drosselspule, 15 μH 4.5mm / ±20%.5A AEC-Q200 mit Metallverbund-Kern 8.

    • Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 77,5 A 481 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.13mm, MPN: IPW60R041C6FKSA1