Molex TRANSFLASH MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm

Name: Molex | Molex TRANSFLASH MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm
Brand: Molex
SKU: ABDU-191234
Price: 4.37 EUR
Availability: InStock

About The Molex TRANSFLASH microSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Montagetyp: SMD, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: LCP, Länge: 14

Molex TRANSFLASH microSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Montagetyp: SMD, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: LCP, Länge: 14.6mm, Breite: 1.93mm, Tiefe: 14.5mm, Abmessungen: 14.6 x 1.93 x 14.5mm, MPN: 500901-0801

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Steckverbinder > USB D-Sub & Computer Steckverbinder > Speicherkarten Steckverbinder

Murata LQM21F SMD-Mehrschicht-Induktivität, 10 μH 100mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 15MHz, Tiefe: 1.25mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.25mm, Gleichstromwiderstand max.: 390mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: LQM21FN100M80L

Wurth Elektronik SMD Induktivität, 180 nH 150mA AEC-Q200, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm, Tiefe: 0.5mm, MPN: 7847804181

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Specifications of Molex TRANSFLASH MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm
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Last Updated December 21st, 2024 12:59 pm

Molex TRANSFLASH MicroSD Speicherkarten-Steckverbinder Stecker, 8-polig / 1-reihig, Raster 1.1mm

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Wurth Elektronik SMD Induktivität, 5,6 nH 300mA AEC-Q200, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm, Tiefe: 0.5mm, MPN: 7847803560

Wurth Elektronik SMD Induktivität, 5,6 nH 300mA AEC-Q200, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm.

Murata LQW21P_C0 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 600mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 50MHz, Tiefe: 1.25mm, Höhe: 0.5mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.5mm, Gleichstromwiderstand max.: 425mΩ, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: LQM21PN2R2MC0D

Murata LQW21P_C0 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 600mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±20%, 50MHz.

Murata LQM21N SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 nH 150mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 140MHz, Qualitätsfaktor min.: 25, Gleichstromwiderstand max.: 630mΩ, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.85mm, Tiefe: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, MPN: LQM21NNR56K10D

Murata LQM21N SMD-Mehrschicht-Induktivität, 560 nH 150mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 140MHz.

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 249Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C

RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 249Ω ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse.