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EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 NH 200mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz

About The : 1.8GHz, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 nH 200mA AEC-Q200 mit Keramik verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Gleichstromwiderstand max.: 1.8Ω, Resonanzfrequenz max.: 1.8GHz, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: B82496C3101J000

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität

EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 NH 200mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz

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Specifications of EPCOS SIMID SMD Induktivität, 100 NH 200mA AEC-Q200 Mit Keramik Verkupfert-Kern, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±5%, 8GHz

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