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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

About The : 0.: +150 °C, MPN: SIA447DJ-T1-GE3

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.: 71 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIA447DJ-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

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Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70

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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
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TE Connectivity RP73 Dünnschicht SMD-Widerstand 3.83kΩ ±0.1% / 0.25W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: RP73PF2A3K83BTDF
    • Johnson Electric Mikroschalter Stößel-Betätiger Lötanschluss, 5 A, 1-poliger Wechsler IP 40 1,4 N -40°C - +85°C, Kontaktmaterial: Vergoldete Silberkontakte, Gehäusematerial: Nylon glasfaserverstärkt, Lebensdauer mechanisch: 10000000Cycles, Schalt-Lösekraft: 0.25N, Nennspannung: 250V ac, Betriebstemperaturbereich: -40 → +85°C, Erfüllte Normen: CSA, UL, MPN: F4T7GPUL
    • WIKA 611.10 6X1.10 Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -0.06bar → 0bar, Ø 63mm G1/4, Manometertyp: Skala, MPN: 9012907

    WIKA 611.10 6X1.10 Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -0.06bar → 0bar, Ø 63mm G1/4, Manometertyp: Skala, MPN: 9012907

    06bar → 0bar, Ø 63mm G1/4.10 Druckmessgerät Prozessanschluss unten Analog -0.10 6X1.

    • Moflash LED-MINI Signalleuchte Dauer-Licht Orange, 12 → 24 V DC, 30mm x 42mm, Lampe inbegriffen: Ja, IP Schutzart: IP54, Temperatur (max.): +66°C, Temperatur (min.): -20°C, MPN: LED-MINI-02-01
    • RS PRO Schallisolierung Thinsulat, 1m x 600mm x 21mm selbstklebend, Form: Platte, Schalldämpfung typ.: 75% @ 3000 Hz, Haftrücken: Ja, Betriebstemperatur max.: +120°C, Betriebstemperatur min.: -20°C
    • RS PRO, No Dickschicht SMD-Widerstand 40.2kΩ 0.01 / 0.63W ±100ppm/°C, 0402 Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.: 71 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIA447DJ-T1-GE3
    • RS PRO, No Dickschicht SMD-Widerstand 2Ω 0.01 / 0.63W ±200ppm/°C, 0402 Gehäuse, Toleranz: ±1%
    • Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70, Drain-Source-Widerstand max.: 71 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SIA447DJ-T1-GE3
    • RS PRO, No Dickschicht SMD-Widerstand 2Ω 0.01 / 0.63W ±200ppm/°C, 0402 Gehäuse, Toleranz: ±1%