Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0041 Ω, 0,00283 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, MPN: SISS50DN-T1-GE3
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Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 108 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S | |
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