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DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 55 A 3,7 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min

DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 55 A 3,7 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Dauer-Drainstrom max.: 40 A (Status), 55 Á (konstant), Gehäusegröße: TO-252 (DPAK), Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: DMPH4013SK3-13

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 55 A 3,7 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 55 A 3,7 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 55 A 3,7 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Vishay SI1026X-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 250 mW, 6-Pin SOT-523 (SC-89), Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.6mm, Länge: 1.7mm
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,7 A 2,5 W, 8-Pin ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.1mm, Länge: 3.1mm, MPN: NTHS4101PT1G
    • Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 1,7 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3,6Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IRFR310TRPBF
    • ABB SICHERUNGSAUTOMAT S204-Z4H10, MPN: 2CDV254001R0338
    • ABB SICHERUNGSAUTOMAT S204-Z4H10, MPN: 2CDV254001R0338