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DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.1mm, Länge: 3mm, MPN: 2N7002A-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23

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Specifications of DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23

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DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 MA 540 MW, 3-Pin SOT-23
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Huber+Suhner 21_TNC-50-7-1/133_NE Stecker Koaxialsteckverbinder TNC-Steckverbinder, Kabelmontage Crimp-Anschluss, für, Impedanz: 50Ω, Gehäuseausrichtung: Gerade, Trennwand: Nein, Gehäusebeschichtung: Messing, Polarität: Normal, MPN: 84128527
    • Texas Instruments DRIVER; OCTAL BUFFER/LINE DRIVER; .5 V (MIN.), .5 V (MAX.;, MPN: SN74HCT244DW@1
    • Renesas Electronics ISL6744AAUZ Spannungsregler, DC/DC-Wandler, SOIC, Aktueller Umwandlungstyp: Gleichstrom-Gleichstrom, Schaltfrequenz max.: 1 MHz, Montage-Typ: SMD
    • TE Connectivity M Steckverbindergehäuse Stecker, 42-polig / 5-reihig Gerade, Tafelmontage für Buchsenblock 202516,, Zur Verwendung mit: Buchsenblock 202516, Standard-Hardware mit 50 Positionen, Länge: 65.86mm, Breite: 19.05mm, Gehäusematerial: Phenolharz, MPN: 202515-1
    • Planet IGS-6325-16T4S Industrial-Ethernet-Switch 20-Port Verwaltet, PoE – Power Over Ethernet: Nein, Distrelec Product Id: 30262084
    • Vishay WFM,, AEC-Q200 SMD-Widerstand 0.05Ω ±1% / 3W ±50ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -65°C, Betriebstemperatur max.: +170°C, MPN: WFMB2512R0500FEA
    • HARTING Han A Schutzabdeckung für Anbaugehäuse, 3A, Anzahl Hebel: 1, MPN: 09200035408
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.1mm, Länge: 3mm, MPN: 2N7002A-7
    • HARTING Han A Schutzabdeckung für Anbaugehäuse, 3A, Anzahl Hebel: 1, MPN: 09200035408
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 220 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.1mm, Länge: 3mm, MPN: 2N7002A-7