Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IPD60R380C6
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon CoolMOS™ C6 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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