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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC

About The Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 47 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI4850EY-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC

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