reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC

About The : 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Höhe: 1

Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 150 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: SI4948BEY-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC

Category
Instockinstock

Last Updated

Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC
More Varieties

Rating :- 8 /10
Votes :- 43