IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: IXFH170N10P
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247
Specifications of IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247 | |
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