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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

About The : -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 9.45mm, Länge: 10.31mm, MPN: IPB065N15N3GATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7
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Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330Ω ±1% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402FR-07330RL

Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330Ω ±1% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402FR-07330RL

0625W, 0402 (1005M) Gehäuse.Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 330Ω ±1% / 0.

    • Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 33kΩ ±1% / 0.0625W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RC0402FR-0733KL
    • SICK BEF Universelle Schraubzwingensysteme für IMA, IMF, MultiV, UC4, V12-2, Anwendung: Montage, Montagetyp: Flanschmontage, Rahmen: Zylindrisch, Material: Stahl, Oberflächenmuster: Glatt, MPN: 2051611
    • Norbar Torque Tools 1 Zoll Drehmomentschlüssel 200 → 800Nm, Antriebsform: Rund, Typ: Verstellbar, MPN: 120110.01
    • Phoenix Contact HC Robustes Power Steckverbinder-Modul, 2-polig 40A Buchse, Kontakteinsatz, Betriebsspannung: 1000 V ac, Gehäuseausrichtung: Gerade, MPN: 1414361
    • Igus chainflex CF77.UL Steuerkabel, 5-adrig x 1,5 mm² Schwarz, 100m, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt, MPN: CF77.UL.15.05.D
    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 9.45mm, Länge: 10.31mm, MPN: IPB065N15N3GATMA1
    • Honeywell Switch, Basic, SubMiniature, 1 AMP, PIN PLUNGER, MPN: 3SX1-T

    Honeywell Switch, Basic, SubMiniature, 1 AMP, PIN PLUNGER, MPN: 3SX1-T

    Honeywell Switch, Basic, SubMiniature, 1 AMP, PIN PLUNGER.

    • Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 9.45mm, Länge: 10.31mm, MPN: IPB065N15N3GATMA1
    • Honeywell Switch, Basic, SubMiniature, 1 AMP, PIN PLUNGER, MPN: 3SX1-T

    Honeywell Switch, Basic, SubMiniature, 1 AMP, PIN PLUNGER, MPN: 3SX1-T

    Honeywell Switch, Basic, SubMiniature, 1 AMP, PIN PLUNGER.