Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 8,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm, MPN: BSC047N08NS3GATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON | |
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