Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 8,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 1.1mm, Länge: 6.1mm, MPN: BSC070N10NS3GATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON | |
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