Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 3,1 W, 8-Pin 1206 ChipFET
About The : 0.: –8 V, +8 V, Länge: 3
Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 3,1 W, 8-Pin 1206 ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 156 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI5935CDC-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 3,1 W, 8-Pin 1206 ChipFET
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Specifications of Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3,8 A 3,1 W, 8-Pin 1206 ChipFET | |
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