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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD

About The IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 16

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXFH24N80P

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD

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