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Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V Max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal

About The Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 107

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal, Konfiguration: Dreiphasenbrücke, Montage-Typ: PCB-Montage, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: 3-phasig, Abmessungen: 107.5 x 45 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V Max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal

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Specifications of Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V Max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal

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Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V Max., 1200 V 385 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal
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Vishay Dickschicht Widerstand 47MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: CRHA1206AF47M0FKEF

Vishay Dickschicht Widerstand 47MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: CRHA1206AF47M0FKEF

3W, 1206 (3216M) Gehäuse.Vishay Dickschicht Widerstand 47MΩ ±1% / 0.

    • Optek OPB810 Tafelmontage Transistor Gabel-Lichtschranke, Gehäusetyp: Draht, Abmessungen: 30.99 x 6.35 x 15.63mm, Länge: 30.99mm, Betriebstemperatur max.: +80°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Schlitzweite: 9.53mm, Breite: 6.35mm, Betriebstemperaturbereich: -40 → +80°C, MPN: OPB811W55Z
    • Optek OPB80 THT Transistor Gabel-Lichtschranke, 4-Pin, Gehäusetyp: Stift, Abmessungen: 12.57 x 6.35 x 11.68mm, Länge: 12.57mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Schlitzweite: 3.94mm, Breite: 6.35mm, Betriebstemperaturbereich: -40 → +85°C, MPN: OPB810W51Z
    • Vishay Dickschicht Widerstand 30MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: CRHA1206AF30M0FKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 30MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: CRHA1206AF30M0FKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 30MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse.

    • Vishay Dickschicht Widerstand 30MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: CRHA1206AF30M0FKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 30MΩ ±1% / 0.3W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: CRHA1206AF30M0FKEF

    3W, 1206 (3216M) Gehäuse.Vishay Dickschicht Widerstand 30MΩ ±1% / 0.