Vishay Dickschicht Widerstand 51MΩ ±1% / 0.45W, 1210 (3225M) Gehäuse

Name: Vishay Dickschicht Widerstand 51MΩ ±1% / 0.45W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: CRHA1210AF51M0FKEF | Vishay
Brand: Vishay
SKU: ABDU-20866
Price: 2824.00 EUR
Availability: InStock

About The Vishay Dickschicht Widerstand 51MΩ ±1% / 0.45W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: CRHA1210AF51M0FKEF

Vishay Dickschicht Widerstand 51MΩ ±1% / 0.45W, 1210 (3225M) Gehäuse, MPN: CRHA1210AF51M0FKEF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Festwiderstände > SMD-Widerstände

Carlo Gavazzi Tafelmontage Halbleiterrelais mit Nulldurchgang 265 V Effektivwert / 40 A Effektivwert, Montage Typ: Frontplattenmontage, Steuerspannung max.: 32V, Steuerspannungsbereich: 4,5 → 32 V dc, Laststrom min.: 150 mA, Ausgangsschaltung: Triac, Lastspannungsbereich: 42 → 265V ac, Abmessungen: 58.2 x 44.8 x 28.8mm, Tiefe: 44.8mm, Länge: 58.2mm, Betriebstemperatur max.: +70°C, Betriebstemperatur min.: -20°C, MPN: RS1A23D40

RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm bei 25 MHz, 70 Ohm bei 100 MHz 35.6 x 23 x 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI, Applikation: EMI Unterdrückung, RFI Unterdrückung, Durchmesser: 23mm, Außendurchmesser: 35.6mm

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Specifications of Vishay Dickschicht Widerstand 51MΩ ±1% / 0.45W, 1210 (3225M) Gehäuse
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Last Updated December 23rd, 2024 10:11 am

Vishay Dickschicht Widerstand 51MΩ ±1% / 0.45W, 1210 (3225M) Gehäuse

More Varieties

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Eaton FUSHOLDER, PANEL MOUNT, 1/4 X 1-1/4 INCH, HIGH PROFILE, REAR HEX NUT, BULK, MPN: HTB-46I-R

Eaton FUSHOLDER, PANEL MOUNT, 1/4 X 1-1/4 INCH, HIGH PROFILE, REAR HEX NUT, BULK.

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, MPN: IRLHM630TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm.

RS PRO Einzeladerleitung 0,6 mm², 20 AWG 100m Gelb PTFE isoliert Ø 1.35mm 19/0,2 mm Litzen, Betriebsspannung: 300 V, Betriebstemperatur max.: 200°C, Betriebstemperatur min.: -75°C, Leitermaterial: Kupfer versilbert, Standards: BS 3G 210:1996, Drahttyp: BS3G210, Isolierungsstärke: 0.15mm

35mm 19/0,2 mm Litzen.RS PRO Einzeladerleitung 0,6 mm², 20 AWG 100m Gelb PTFE isoliert Ø 1.

IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Schaltgeschwindigkeit: 20kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 10.66mm, Breite: 4.83mm, Höhe: 16mm, Abmessungen: 10.66 x 4.83 x 16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3

IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal.

Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: CRHA2010AF100MFKEF

5W, 2010 (5025M) Gehäuse.Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.

IXYS IGBT / 70 A ±20V max., 900 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal, Montage-Typ: Tafelmontage, Schaltgeschwindigkeit: 50kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 38.23 x 25.07 x 9.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, MPN: IXYN80N90C3H1

IXYS IGBT / 70 A ±20V max.

RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm bei 25 MHz, 70 Ohm bei 100 MHz 35.6 x 23 x 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI, Applikation: EMI Unterdrückung, RFI Unterdrückung, Durchmesser: 23mm, Außendurchmesser: 35.6mm

RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm bei 25 MHz, 70 Ohm bei 100 MHz 35.6 x 23 x 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI.