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RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm Bei 25 MHz, 70 Ohm Bei 100 MHz 35.6 X 23 X 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI

About The 7mm, EMI Unterdrückung, RFI, Applikation: EMI Unterdrückung, RFI Unterdrückung, Durchmesser: 23mm, Außendurchmesser: 35.6mm

RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm bei 25 MHz, 70 Ohm bei 100 MHz 35.6 x 23 x 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI, Applikation: EMI Unterdrückung, RFI Unterdrückung, Durchmesser: 23mm, Außendurchmesser: 35.6mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > EMV-Filter und -Schutz > Ferrit Ringkern

RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm Bei 25 MHz, 70 Ohm Bei 100 MHz 35.6 X 23 X 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI

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Specifications of RS PRO Ferrit Ringkern, Ferritring 35 Ohm Bei 25 MHz, 70 Ohm Bei 100 MHz 35.6 X 23 X 12.7mm, EMI Unterdrückung, RFI

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Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, MPN: IRLHM630TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, MPN: IRLHM630TRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 40 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm.

    • RS PRO Einzeladerleitung 0,6 mm², 20 AWG 100m Gelb PTFE isoliert Ø 1.35mm 19/0,2 mm Litzen, Betriebsspannung: 300 V, Betriebstemperatur max.: 200°C, Betriebstemperatur min.: -75°C, Leitermaterial: Kupfer versilbert, Standards: BS 3G 210:1996, Drahttyp: BS3G210, Isolierungsstärke: 0.15mm
    • IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Schaltgeschwindigkeit: 20kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Länge: 10.66mm, Breite: 4.83mm, Höhe: 16mm, Abmessungen: 10.66 x 4.83 x 16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXGP20N120B3
    • Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: CRHA2010AF100MFKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: CRHA2010AF100MFKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse.

    • Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: CRHA2010AF100MFKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse, MPN: CRHA2010AF100MFKEF

    Vishay Dickschicht Widerstand 100MΩ ±1% / 0.5W, 2010 (5025M) Gehäuse.