Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR, Drain-Source-Widerstand max.: 250 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.65V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 1.04mm, MPN: CSD17381F4T
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Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 MW, 3-Pin PICOSTAR
Specifications of Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,1 A 500 MW, 3-Pin PICOSTAR | |
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