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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The 67mm, Betriebstemperatur max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTBS2D7N06M7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Eaton Leuchtenkörper für Gefahrenbereiche Typ Leuchte Zone Zone 2, Zone 22, ATEX, 67 W LED / 240 V ac, Lampensockel: G5, Länge: 1,66 m, Breite: 130 mm, Leistung einzelne Lampe: 69.5W, Stromstärke: 335 mA, Erfüllte Normen: IEC, MPN: 13475223001
    • Eaton Flutlicht für Gefahrenbereiche, 98 W LED / 277 V ac, MPN: 13042211005

    Eaton Flutlicht für Gefahrenbereiche, 98 W LED / 277 V ac, MPN: 13042211005

    Eaton Flutlicht für Gefahrenbereiche, 98 W LED / 277 V ac.

    • Wurth Elektronik Flachkabel-Ferrit bis 26 Adern, Aussenmaß 13 x 45 x 28.5mm / Innen 34 x 2mm, Typ: Kern flach teilbar, Applikation: RFI Unterdrückung, Material: 4W620, Zum Öffnen: Ja, Breite Innen: 34mm, Tiefe Außen: 13mm, Breite Außen: 45mm, MPN: 74272590
    • Eaton Flutlicht für Gefahrenbereiche, 294 W LED / 277 V ac, MPN: 1 3042 611 005

    Eaton Flutlicht für Gefahrenbereiche, 294 W LED / 277 V ac, MPN: 1 3042 611 005

    Eaton Flutlicht für Gefahrenbereiche, 294 W LED / 277 V ac.

    • StarTech.com Adapterkabel, USB C, USB C, - HDMI, 8K, Wiederholrate: 60Hz, MPN: 134B-USBC-HDMI211M
    • StarTech.com Adapterkabel, USB C, USB C 1 Display, - HDMI, 8K, Wiederholrate: 60Hz, MPN: 135B-USBC-HDMI212M
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTBS2D7N06M7
    • Arcol HS25F Aluminium Lastwiderstand 15Ω ±1% / 25W, Alu Gehäuse Drahtanschluss → +200°C, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 27.3 x 14.2 x 14.8mm, Gesamtlänge: 27.3mm, Gesamtbreite: 14.2mm, MPN: HS25F 15R F
    • onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 110 A 176 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTBS2D7N06M7
    • Arcol HS25F Aluminium Lastwiderstand 15Ω ±1% / 25W, Alu Gehäuse Drahtanschluss → +200°C, Gehäuse-Form: Aluminiumgehäuse, Temperaturkoeffizient max.: +100ppm/°C, Abmessungen: 27.3 x 14.2 x 14.8mm, Gesamtlänge: 27.3mm, Gesamtbreite: 14.2mm, MPN: HS25F 15R F