Toshiba Battery Toshiba RN1105(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin

Name: Toshiba Battery Toshiba RN1105(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin! Toshiba Battery
Brand: Toshiba Battery
SKU: ABDU-213529
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

About The : 2.Toshiba Battery Toshiba RN1105(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin, Gleichstromverstärkung min

Toshiba Battery Toshiba RN1105(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin, Gleichstromverstärkung min.: 80, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Eingangswiderstand typ.: 2.2 kΩ, Widerstandsverhältnis: 0.047

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Allen Bradley Ethernetkabel Cat.5e, 2m, Grün Patchkabel, A M12 UTP, B RJ45, Abgeschlossen/Nicht abgeschlossen: Abgeschlossen, Ausrichtung - Steckverbinder 1: gerade, MPN: PN-270571

Phoenix Contact MACX MCR Signalwandler, Temperaturwandler 24V dc, Thermoelement, Spannung -1000 → 1000 mV, -250, Ausgangssignal Typ: Strom, Eingangsbereich: -1000 → 1000 mV, -250 → +2500°C, Ausgangsbereich: 0 → 20 mA, 4 → 20mA, Versorgungsspannung: 24V dc, Zulassung für Gefahrenbereiche: ATEX, Montage Typ: DIN-Schienen, Betriebstemperaturbereich: -40 → +70°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 1050233

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Specifications of Toshiba Battery Toshiba RN1105(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, ESM 3-Pin
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Last Updated January 11th, 2025 07:48 am

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Lascar Linearnetzteil Open Frame 250V ac Input / 4.75 → 5.25V dc Output, 1A 1 Ausg., Eingebettet L. 115mm B.

75 → 5.25V dc, Eingebettet: Ja, Breite: 76mm, Tiefe: 23., Eingebettet L. 115mm B.

Molex Flexi-Mate Crimp-Anschlussklemme für Flexi-Mate-Steckverbindergehäuse, Stecker, 0.08mm² / 0.1mm², Zinn, Gender: Male, Minimale Drahtgröße AWG: 28AWG, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Maximale Drahtgröße AWG: 26AWG, Seriennummer: 503485, MPN: 503485-0000

Molex Flexi-Mate Crimp-Anschlussklemme für Flexi-Mate-Steckverbindergehäuse, Stecker, 0.

Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin, Gleichstromverstärkung min.: 80, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 10 V, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Eingangswiderstand typ.: 47 kΩ

Toshiba RN1104(F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin.

Toshiba RN2104(F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: -10 V, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Eingangswiderstand typ.: 47 kΩ

Toshiba RN2104(F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin.

Toshiba RN2104(F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: -10 V, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -55 °C, Eingangswiderstand typ.: 47 kΩ

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