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Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : ±20 V, MPN: TSM090N03CP.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, MPN: TSM090N03CP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Taiwan Semiconductor N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 55 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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TE Connectivity ER74 Wickel Widerstand 10kΩ ±5% / 3W, Betriebstemperatur max.: +200°C, Temperaturkoeffizient: 0 → +60ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: ER7410KJT
    • TE Connectivity HOLCO Metallschicht Widerstand 9.76kΩ ±0.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: H89K76BYA
    • RS PRO Dichtungen? zur Verwend.mit Staubdichtungen, Durchführungen und XLR-Familie und Cliffon

    RS PRO Dichtungen? zur Verwend.mit Staubdichtungen, Durchführungen und XLR-Familie und Cliffon

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    • Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 33 W, 3-Pin ITO-220S, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.4V, MPN: TSM60N380CI
    • Taiwan Semiconductor N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 33 W, 3-Pin ITO-220S, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.4V, MPN: TSM60N380CI