onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 420A 205 W, 8-Pin DFNW8, Drain-Source-Widerstand max.: 670 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: NVMTS0D7N04CTXG
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 420A 205 W, 8-Pin DFNW8
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 420A 205 W, 8-Pin DFNW8 | |
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