onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 433 A 205 W, 8-Pin DFNW8, Drain-Source-Widerstand max.: 630 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: NVMTS0D7N04CLTXG
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 433 A 205 W, 8-Pin DFNW8
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 433 A 205 W, 8-Pin DFNW8 | |
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