Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 15 μH, 4.2A, 10MHz, 66.34mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232

Name: Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 15 μH, 4.2A, 10MHz, 66.34mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232, Betriebstemperatur Min.: -55°C, Betriebstemperatur Max.: +155°C, Geschirmt: Ja, Induktivitätsbauweise: Dual, Tiefe: 9.62mm, Abmessungen: 9.75 X 9.62 X 9.14mm, Länge: 9.75mm, MPN: IHLD3232HBER150M5A :- Vishay
Brand: Vishay
SKU: ABDU-213736
Price: 13.61 EUR
Availability: InStock

About The 14mm, Länge: 9.Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 15 μH, 4

Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 15 μH, 4.2A, 10MHz, 66.34mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, Geschirmt: Ja, Induktivitätsbauweise: Dual, Tiefe: 9.62mm, Abmessungen: 9.75 x 9.62 x 9.14mm, Länge: 9.75mm, MPN: IHLD3232HBER150M5A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > Gekoppelte Induktivitäten

Semikron IGBT-Modul / 469 A 20V max., 1200 V, 11-Pin SEMiX®3p N-Kanal, Konfiguration: Serie, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 150 x 62.4 x 17mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, Breite: 62.4mm, MPN: SEMiX303GB12E4p

TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 3.74kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: RN73C2A3K74B

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Specifications of Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 15 μH, 4.2A, 10MHz, 66.34mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232
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Last Updated December 16th, 2024 06:37 am

Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 15 μH, 4.2A, 10MHz, 66.34mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232

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Vishay 256 Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6800μF ±20% / 35V dc, Ø 26mm x 32mm, bis 105°C, Kapazität: 6800µF, Spannung: 35V dc, Abmessungen: 26 (Dia.) x 32mm, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 10mm, Lebensdauer: 2000h, Äquivalenter Serienwiderstand: 78mΩ, Leckstrom: 1,46 mA, Brummstrom: 2.04A, MPN: MAL225630682E3

Vishay 256 Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 6800μF ±20% / 35V dc, Ø 26mm x 32mm, bis 105°C.

Panasonic ERJP06 Dickschicht SMD-Widerstand 8.2Ω ±5% / 0.5W -100 → +600ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJP06J8R2V

2Ω ±5% / 0.

Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 2.4A, 6.1MHz, 159.43mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, Geschirmt: Ja, Induktivitätsbauweise: Dual, Tiefe: 9.62mm, Abmessungen: 9.75 x 9.62 x 9.14mm, Länge: 9.75mm, MPN: IHLD3232HBER330M5A

4A, 6.Vishay IHLD Gekoppelte Induktivität, 33 μH, 2.43mΩ ±20%, Gehäuse-Form 3232.1MHz, 159.

Panasonic ERJU03 Dickschicht SMD-Widerstand 270kΩ ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERJU03F2703V

1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse.Panasonic ERJU03 Dickschicht SMD-Widerstand 270kΩ ±1% / 0.

KEMET C900 SLCC Keramikkondensator, 2.2nF, 400V ac, Y5U, Durchsteckmontage, ±20%, 10 (Dia.) x 5mm, -55%, Durchmesser: 10mm, Temperaturkoeffizient: -55% → +20%, Entstörklasse: X1, Y1, Verlustleistungsfaktor: 2.5%, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: C931U222MVWDBA7317

2nF, 400V ac, Y5U, Durchsteckmontage, ±20%, 10 (Dia.) x 5mm, -55%.KEMET C900 SLCC Keramikkondensator, 2.

TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 3.74kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: RN73C2A3K74B

TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 3.74kΩ ±0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse.1% / 0.