Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 300 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,13 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, MPN: BSC13DN30NSFDATMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 300 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 300 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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