Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 75 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,00065 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, MPN: IPB100N08S2L07ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 75 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 75 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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