Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 51 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,17 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IPD60R170CFD7ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 51 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 51 A, 3-Pin TO-252 | |
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