Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 700 V / 49 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: IPD65R190C7ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 700 V / 49 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon CoolMOS™ C7 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 700 V / 49 A, 3-Pin TO-252 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |