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Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 77,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Yamaichi SD-Karte Speicherkarten-Steckverbinder Buchse, 9-polig / 1-reihig, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Montagetyp: SMD, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: LCP, Länge: 27.4mm, Breite: 3.1mm, Tiefe: 20.3mm, Abmessungen: 27.4 x 3.1 x 20.3mm, Betriebstemperatur (max.): +85°C, Betriebstemperatur min.: -25°C, MPN: FPS009-3202-BL
    • RS PRO Laufwagen für 9mm-Schienen, 28.9mm x 20mm, Traglast 1860N, 2550N
    • Vishay TSM4 11-Gang SMD Trimmer-Potentiometer, Seitliche Einstellung, 10kΩ, ±10%, 0.25W, J-Schraubkloben, L. 4.8mm

    Vishay TSM4 11-Gang SMD Trimmer-Potentiometer, Seitliche Einstellung, 10kΩ, ±10%, 0.25W, J-Schraubkloben, L. 4.8mm

    8mm, Montageart: Oberflächenmontage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C, Schaftdurchmesser: 1,5 mm, Betriebstemperatur min.

    • Bourns AVHT Varistor, 810pF, 27V, 17V, Metall / 1A, 1206 (3216M) Gehäuse, Gleichspannung max.: 20V, Klemm-Spannung: 44V, MPN: AV17K1206201NIR1HT
    • Silicon Labs Mikrocontroller SiM3 ARM Cortex M3 32bit SMD 128 KB QFN 40-Pin 50MHz 32 KB RAM, A/D-Wandler Kanäle: 20, Versorgungsspannnung typ.: 1,8 → 3,8 V, A/D-Wandler Auflösung: 12bit, MPN: SiM3L154-C-GM
    • TE Connectivity CHAMP Leiterplattenbuchse gewinkelt 68-polig, Raster 1.6mm, Typ: Kabel-Platine, Montagetyp: Durchsteckmontage, Gehäuseausrichtung: Rechtwinklig, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 1A, Betriebsspannung: 30 V ac, Kontaktmaterial: Phosphor Bronze, MPN: 5796055-1
    • Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 77,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
    • TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 2.7Ω ±5% / 0.25W ±400ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGS0603J2R7
    • Infineon HEXFET IRFS4620TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 77,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
    • TE Connectivity CRGS Dickschicht SMD-Widerstand 2.7Ω ±5% / 0.25W ±400ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGS0603J2R7