Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 19 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 5mm, MPN: IRL6342TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,9 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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