Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4
About The 7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMZA65R027M1HXKSA1.Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max
Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMZA65R027M1HXKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4
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Specifications of Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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