Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Infineon, Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand Max.: 60 MΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung Max.: 2V, Gate-Schwellenspannung Min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung Max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRLZ34NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: ABDU-217336
Price: 14.62 EUR
Availability: InStock

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 10.67mm, MPN: IRLZ34NSTRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Last Updated January 13th, 2025 07:12 am

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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