Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 5,4 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,039 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V, MPN: IRF7490TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 5,4 A, 8-Pin SO-8
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 5,4 A, 8-Pin SO-8 | |
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