Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 0,016 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V, MPN: IRFHS8342TRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |