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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2

About The Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 6

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2, Drain-Source-Widerstand max.: 2,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: BSB028N06NN3GXUMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2

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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin MG-WDSON-2
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Molex CLIK-Mate Vorverdrahtete Crimp-Kontakte verzinnt, Schwarz 0.08mm², 150mm, Crimp-Anschlussklemme 2: Nicht abgeschlossen, Crimp-Klemme 1 Gender: Stecknippel, Seriennummer: 215711, Nennstrom: 2 A, Drahttyp: UL 10002, Anschluss A Gender: Stecker, Anschluss A: Terminal Clik-Mate, MPN: 215711-1102
    • Panasonic Dickschicht SMD-Widerstand 1.8kΩ ±1% / 0.5W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: ERJHP6F1801V
    • Ohmite Serie TBH25P Dickschichtwiderstand, 470Ω ±5% 25W, TO-220, Betriebstemperatur max.: +150°C, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, Anschlussraster: 5.08mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, MPN: TBH25P470RJE
    • Infineon IDD03SG60C THT Gleichrichter & Schottky-Diode, 600V / 3A PG-TO252-3, Diodenkonfiguration: Einfach, MPN: IDD03SG60CXTMA2
    • Infineon IDD03SG60C THT Gleichrichter & Schottky-Diode, 600V / 3A PG-TO252-3, Diodenkonfiguration: Einfach, MPN: IDD03SG60CXTMA2