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Onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 49 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 9.98mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDB52N20TM

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Onsemi UniFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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