Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.1mm, MPN: CSD19502Q5BT
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP
Specifications of Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 157 A 195 W, 8-Pin VSON-CLIP | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |