reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

About The 7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMW65R030M1HXKSA1.: 0,042 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,042 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.7V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 58 A, 3-Pin TO-247
More Varieties

Rating :- 8 /10
Votes :- 42