Wurth Elektronik WE-HCI SMD Induktivität, 5,6 μH 4.5A Mit WE-PERM2-Kern, 5040 Gehäuse 5.3mm / ±20%, 8MHz
About The : 48MHz, Induktivitätsbauweise: Flachdrahtwicklung, Betriebstemperatur max.5mΩ, Resonanzfrequenz max
Wurth Elektronik WE-HCI SMD Induktivität, 5,6 μH 4.5A mit WE-PERM2-Kern, 5040 Gehäuse 5.3mm / ±20%, 8MHz, Tiefe: 5.5mm, Höhe: 4mm, Abmessungen: 5.3 x 5.5 x 4mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 28.5mΩ, Resonanzfrequenz max.: 48MHz, Induktivitätsbauweise: Flachdrahtwicklung, Betriebstemperatur max.: +150°C, MPN: 744316560
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
Wurth Elektronik WE-HCI SMD Induktivität, 5,6 μH 4.5A Mit WE-PERM2-Kern, 5040 Gehäuse 5.3mm / ±20%, 8MHz
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Specifications of Wurth Elektronik WE-HCI SMD Induktivität, 5,6 μH 4.5A Mit WE-PERM2-Kern, 5040 Gehäuse 5.3mm / ±20%, 8MHz | |
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