IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 36 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: IXTP36N30P
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 36 A 300 W, 3-Pin TO-220
Specifications of IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 36 A 300 W, 3-Pin TO-220 | |
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