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DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,49 W, 3-Pin X2-DFN2015

About The : 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: ±8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1

DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,49 W, 3-Pin X2-DFN2015, Dauer-Drainstrom max.: 3,8 A (Status), 4,7 A (konstant), Drain-Source-Widerstand max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, MPN: DMP2045UFY4-7

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,49 W, 3-Pin X2-DFN2015

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Specifications of DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,49 W, 3-Pin X2-DFN2015

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DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A 1,49 W, 3-Pin X2-DFN2015
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Phoenix Contact PTTB 1.5/S/2P-PV Doppelstock Reihenklemmen Grau, 0.14 → 1.5mm², 500 V / 16A, AWG: 14 → 26AWG, Abgesichert: Nein, Modellnummer: PTTB 1,5/S/2P-PV, MPN: 3212468
    • Ohmite Resistor, Wirewound;20 Kilohms;10 W;+/-5%;Axial;Vitreous;720 V;20 ga.;1.5 In.", MPN: 20J20KE

    Ohmite Resistor, Wirewound;20 Kilohms;10 W;+/-5%;Axial;Vitreous;720 V;20 ga.;1.5 In.", MPN: 20J20KE

    ;1.".Ohmite Resistor, Wirewound;20 Kilohms;10 W;+/-5%;Axial;Vitreous;720 V;20 ga.

    • KYOCERA AVX VC Varistor, 155pF, 34.5V, 18V, 0.1J, Keramik / 1A, 30A max., 0603 (1608M) Gehäuse, 1.6 x 0.8 x 0.9mm, L., Gleichspannung max.: 26V, Klemm-Spannung: 60V, Tiefe: 0.8mm, Länge: 1.6mm, MPN: VC060326A580DP
    • onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT DO-41 2-Pin Siliziumverbindung 1.2V, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Höhe: 5.2mm, Durchmesser: 2.7mm, MPN: 1N4935G
    • onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip THT DO-41 2-Pin Siliziumverbindung 1.2V, Betriebstemperatur min.: –65 °C, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Höhe: 5.2mm, Durchmesser: 2.7mm, MPN: 1N4935G