reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

About The Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK20A60W,S5VX(M

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
More Varieties

Rating :- 9.96 /10
Votes :- 43