Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 155 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK20A60W,S5VX(M
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Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
Specifications of Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS | |
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