Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,5 A 158 W, 3-Pin TO-220AB
About The : +150 °C, MPN: FQP6N80C.: -30 V, +30 V, Länge: 10
onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,5 A 158 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQP6N80C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,5 A 158 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,5 A 158 W, 3-Pin TO-220AB | |
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