Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 120 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0113 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPB70N12S311ATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 120 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 120 V / 70 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |