Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max
onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NTMYS2D4N04CTWG
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
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Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 138 A 83 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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