onsemi FDMS007N08LC N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 84 A 92,6 W, 8-Pin PQFN, Drain-Source-Widerstand max.: 11,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.3V
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Onsemi FDMS007N08LC N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 84 A 92,6 W, 8-Pin PQFN
Specifications of Onsemi FDMS007N08LC N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 84 A 92,6 W, 8-Pin PQFN | |
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