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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223

About The : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 130 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: BSP613PH6327XTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223

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Infineon SIPMOS® P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,9 A 10,8 W, 3-Pin SOT-223
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